产业链条(特高压产业链能否成为新基建重头戏)

产业链条，特高压产业链能否成为新基建重头戏？

我国已完全实现特高压关键装备国产化

自从1960年以来，俄罗斯、日本、美国、意大利、加拿大等都已开始研究特高压输电技术所涉及的过压、可听噪声、无线电干扰和生态效应等其它领域的技术，且在世界各地建成了大量特高压实验工程，但到目前为止，受制于经济、政策、地理等因素影响，国外未实现大规模商业化使用。此外，部分国家在运营过程中由于运营效益问题最终导致降压运营或停止运营。

自20世纪80年代开始，中国开始进行特高压技术的研究与探索，2009年建成全球第一条1000千伏特高压输电工程，至2021年底，中国已累计建成28条特高压线路，特高压关键装备已实现100%国产化。

特高压设备市场投资规模达300亿元

特高压市场空间达千亿规模。2016-2018年，我国每年特高压工程建设完成投资600~1000亿元。特高压纳入“新基建”还将进一步带动投资规模。根据国家电网计划，2020年初步安排电网投资4000亿元以上，特高压项目投资可分为设备、铁塔、线缆和基建等投资。

具体来看，2018年，我国先后核准并开工5条特高压重点工程，投资建设规模达658亿元;2019年，先后核准并开工2条特高压重点工程，投资建设规模达553亿元;2020年，核准并开工“五交两直”共7条特高压重点工程，投资建设规模达919亿元。经初步统计，2021年，中国特高压投资建设规模约为851亿元。

在特高压项目投资中，设备投资约占25~35%，铁塔与线缆投资和特高压线路长度相关，约占30%，基建及其他投资占35%。在直流设备中，换流变压器、换流阀和GIS(气体绝缘金属封闭开关)投资额较大;在交流设备中，1000kV GIS、变压器和电抗器投资额较大。

以特高压设备占投资额最规模比重35%测算，2020年特高压设备市场规模为322亿元。经初步统计，2021年特高压设备市场规模约为298亿元。

竞争格局：特变电工占据中国变压器主要市场

——交流特高压设备市场

以中标金额计算，2020年我国交流特高压设备市场中交流变压器主要竞争企业分别为中国西电(30%)、特变电工(35%)和保变电气(30%);GIS主要竞争企业分别为平高电气(45%)、中国西电(30%)和新东北电气(20%)。

注：截止2022年5月26日，未有权威机构统计2021年市占率数据，故以2020年数据分析，下同，不再赘述。

——直流特高压设备市场

以中标金额计算，2020年我国直流特高压设备市场中交流变压器主要竞争企业分别为国电南瑞(50%)、许继电气(30%)和中国西电(15%);换流变压器主要竞争企业分别为特变电工(30%)、中国西电(20%)、保变电气(20%)和山东电力设备(20%)。

—— 以上数据参考前瞻产业研究院《中国特高压设备行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》

一二三产业融合发展的运行机制？

2015年12月30日，国务院办公厅以国办发〔2015〕93号印发《关于推进农村一二三产业融合发展的指导意见》。该《意见》分总体要求、发展多类型农村产业融合方式、培育多元化农村产业融合主体、建立多形式利益联结机制、完善多渠道农村产业融合服务、健全农村产业融合推进机制6部分27条。

主要目标是：到2020年，农村产业融合发展总体水平明显提升，产业链条完整、功能多样、业态丰富、利益联结紧密、产城融合更加协调的新格局基本形成，农业竞争力明显提高，农民收入持续增加，农村活力显著增强。

第三代半导体概念分析？

1第三代半导体概念

第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。

而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。

SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。

2第三代半导体发展历程

自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。

SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。

随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。

为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。

而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。

二SiC产业概念

1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件

得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。

在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。

在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。

另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。

2SiC市场供需情况

尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。

与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。

与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。

但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。

3SiC产业主要运作模式

经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。

SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因：

1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低;

2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂;

3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。

当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。

同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。

国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。

沙特石油成本为什么只要5美元？

自俄罗斯石油生产进入活跃期以来，所有易采储量已被使用或部分被使用。根据不同的评估，11-12年前，俄罗斯的石油开采成本为10-15美元/桶，而现在，最乐观的评估为25美元/桶，市场均值约为38-40美元/桶，而在地质条件和气候条件最为复杂的北极，生产一桶石油的成本可能高达60-70美元。

ACRA分析师瓦西里·塔努尔科夫认为，这主要是由于俄罗斯税收较高。塔努尔科夫表示，俄罗斯的税收占成本的60%。但这种情况优点是，如果油价下跌，税收也会跟着下降。每桶油价格为70美元和40美元时，其税收也千差万别（约相差一倍）。在油价为40美元/桶的情况下，石油开采成本为20美元/桶。

塔努尔科夫认为，这种算法的复杂性在于不能将税收、运输成本、地质勘探开支和基础设施建设费用单独划分出来。传统上，存在采油成本（Lifting cost）这一概念，即直接从油井中采油的成本。在俄罗斯和沙特阿拉伯，采油成本均大大低于宣布的40美元/桶，俄罗斯为4-5美元/桶，而沙特阿拉伯为1.5-2美元/桶。当然，还有其他开支，如管道运输费用、地质勘探投资等其他资本性开支。在俄罗斯，由于运输距离和气候的影响，这部分的开支要高于沙特阿拉伯。但如果去掉税收，成本不会出现太大差异。在塔努尔科夫看来，俄罗斯税收体系的优势在于其可预测性。目前，沙特阿美将主要资金通过股息分配给预算，但很难说这种体系在公司进行IPO后是否能够保留下来。当然，还有股票收益，实际上，他们变为了准优先股 ，但谁也无法消除税收增长的风险。

海南赛诺实业有限公司怎么样？

简介：赛诺国际有限公司是一家在美国纳斯达克上市的公众公司，总部在海口国家高新区狮子岭园区，现有总资产4.2亿元，员工650人，大专以上科技人员145人，专职研发人员53人，旗下拥有海南赛诺实业有限公司、海南现代彩印包装有限公司、海南现代高科实业有限公司和珠海华诺包装材料有限公司，生产基地分布在海口、珠海、宁波等地，集合了从水性乳液－涂布－印刷－制袋的一站式包装产业链，拥有3条国际一流水准的功能BOPP生产线、5条功能性涂布薄膜生产线和5条印刷复合线，总产能10亿元，

法定代表人：邢青涛

成立时间：2003-05-21

注册资本：10000万人民币

工商注册号：460000400002372

企业类型：有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）

公司地址：海口国家高新区狮子岭工业园（A-3-05-2地块）