晶闸管可控硅(平板可控硅阻值多少)

晶闸管可控硅，平板可控硅阻值多少？

平板可控硅阻值600a。

600A的平板可控硅的控制极正反向电阻是：门极阻值大约15到30之间阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。

可控硅降压电路？

可控硅调压器怎不能调阻容降压LED灯可控硅调压器只能调钨丝灯,怎不能调阻容降压LED灯. 不行的，阻容降压LED灯的结构中存在稳压电路而且整流部分是峰值的而不是平均值的所以不行。钨丝灯是电阻依靠有效值发热所以能调光。 晶闸管调压器又称“晶闸管电力调整器”“可控硅电力调整器”或简称“电力调整器”。“晶闸管”又称“可控硅”（SCR）是一种四层三端半导体器件，把它接在电源和负载中间，配上相应的触发控制电路板，就可以调整加到负载上的电压、电流和功...

可控硅和mos管的区别？

可控硅为二级管，mos为场效应三级开关管。

可控硅表面温度不能超过多少？

pn（可控硅表面温度）一般不超过150度。管壳温度不应超过110度在散热片接触良好的情况下，散热片温度，一般不超过80度。

igbt整流和可控硅整流哪个好？

IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。受元件制造工艺和工作原理等影响，前者可在较高频率下工作（最高25KHz左右），后者大多在5KHz以内，这个是前者比后者的优点。

3、前者相比的缺点是成本高，制造工艺复杂，在高压大电流元件的制造上，还达不到可控硅的能力，并且在抗过载能力上远远不及可控硅。

4、随着制造工艺的进步，短路保护的日趋完善，前者在元件成本上已经大大下降，在很多场合与可控硅相比价格完全可以接受，并且由于控制灵活方便，能取消可控硅电路的关断电路等，在很多场合完全可以替代可控硅，并且性能更好。

扩展资料：

1、可控硅是可控硅整流元件的简称,亦称为晶闸管。是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。

2、可控硅具有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

3、IGBT，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

4、GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。