在这个系列的前三篇文章中，我们重点关注了Topcon的几条技术路线：PECVD、LPCVD和ALD。
作为第三代晶硅电池重要科技树分支之一、Topcon有力竞争对手的异质结电池，除了可以通用的环节之外，它的设备有什么不一样？
通过这篇文章，试着把现有的异质结设备做一个梳理。
异质结电池回顾
相比Topcon，异质结电池的历史更悠久，可以追溯到九十年代。
异质结电池的英文全称是Hetero-Junction with Intrinsic Thin-layer，所以市面上的HJT和HIT都是一回事，只是取了不同的英文缩写而已。
从上图可以看到，如果说Topcon电池可以看成是Pert结构的改良，那么异质结电池和Perc则是完全不同的结构。
本质上来说，异质结电池是一种薄膜太阳能电池。
一个典型的HJT电池是以N型硅片为基底，从内到外分别镀上i型非晶硅薄膜、P型/N型非晶硅薄膜、TCO透明导电膜（表层可能再加镀抗反射膜）。
总结一下异质结的优点：高转化效率，双面发电，制备流程简化（每步难度增加），硅片薄片化。
当然，设备初始投资金额高、低温银浆、以及透明导电膜中的稀有金属铟（In）能不能适应大规模量产，都是亟待解决的问题。
TCO镀膜
平时我们接触的新名词太多了，那么，大家经常说的TCO镀膜到底是个什么材料呢？
TCO：Transparent Conducting Oxide。中文翻译过来就是透明导电氧化物。
我们一般的常识都知道，导电材料一般透光性不好，而透明氧化物的导电性又不好。
那么，有没有一种材料，兼具了透光性和导电性？答案就是我们这里要讲的TCO。
我们讲的TCO，是一系列兼具透光性和导电性的半导体材料的总称。主要包括ITO（氧化铟锡）、IWO（钨掺杂氧化铟）、AZO（铝掺杂氧化锌）。
上面提到的TCO材料中，所有带有I的，都是含有稀有金属铟（In）的。
由于含量稀少，现在很多的研究，都聚焦在如何减少铟的用量。至于如何减少铟的用量，暂时还不在这篇文章的讨论范围。
镀膜设备哪家强？
TCO镀膜是异质结区别于其他技术路线的一步核心工艺，主要镀膜工艺可以分为物理法和化学法。
具体到细化的工艺，目前最常用的是两种，即磁控溅射法（PVD）和反应等离子沉积法（RPD）。
PVD：在真空室中，利用高能粒子轰击靶材表面，使被轰击出来的粒子在衬底表面形成薄膜。
RPD：使用离子源经磁场偏转后轰击到靶材上，将靶材原子轰击出来沉积到样品上，减小了离子对衬底表面的轰击和刻蚀。
关于两种技术路线的对比总结，可以参考下图。
写在最后
我们一直认为，具有长期巨大市场空间的，一定是降本增效的环节，而不是依靠中短期供需错配赚取价格超额利润的环节。
对于解决了行业技术痛点的企业，无论是在一级还是二级市场，都会给予它们正确的估值溢价作为奖励。
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